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BWLT00241810330J00

BWLT00241810330J00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLT00241810330J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 µH, Nennstrom 200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 13.5Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
13.5Ohm Max
Abmessungen
0.094" L x 0.073" W (2.40mm x 1.85mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLT00241810330J00.

Induktivität
33 µH

BWLT00241810330J00 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

BWLT00241810330J00 ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
13.5Ohm Max

BWLT00241810330J00 hat einen DC-Widerstand von 13.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWLT00241810330J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±5%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)13.5Ohm Max
Sättigungsstrom200mA
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.094" L x 0.073" W (2.40mm x 1.85mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 33UH 13.5 OHM SMD
SerieBWLT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 Min @ 2.52 MHz
Eigenresonanzfrequenz16 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

Vorschau

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