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BWLT002418103R9J00

BWLT002418103R9J00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLT002418103R9J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9 µH, Nennstrom 570 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.75Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.9 µH
Nennstrom
570 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.75Ohm Max
Abmessungen
0.094" L x 0.073" W (2.40mm x 1.85mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLT002418103R9J00.

Induktivität
3.9 µH

BWLT002418103R9J00 hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
570 mA

BWLT002418103R9J00 ist für 570 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.75Ohm Max

BWLT002418103R9J00 hat einen DC-Widerstand von 1.75Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWLT002418103R9J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität3.9 µH
Toleranz±5%
Nennstrom570 mA
DC-Widerstand (DCR)1.75Ohm Max
Sättigungsstrom570mA
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.094" L x 0.073" W (2.40mm x 1.85mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.9UH 1.75 OHM SMD
SerieBWLT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz180 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

Vorschau

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