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BWLT00241810R12K00

BWLT00241810R12K00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLT00241810R12K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 1200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 330mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
1200 mA
DC-Widerstand (DCR)
330mOhm Max
Abmessungen
0.094" L x 0.073" W (2.40mm x 1.85mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLT00241810R12K00.

Induktivität
120 nH

BWLT00241810R12K00 hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1200 mA

BWLT00241810R12K00 ist für 1200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
330mOhm Max

BWLT00241810R12K00 hat einen DC-Widerstand von 330mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWLT00241810R12K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1200 mA
DC-Widerstand (DCR)330mOhm Max
Sättigungsstrom1.2A
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.094" L x 0.073" W (2.40mm x 1.85mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 120NH 330 MOHM SMD
SerieBWLT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz22 Min @ 25.2 MHz
Eigenresonanzfrequenz1500 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

Vorschau

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