Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLT00241810R82K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 730 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 850mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLT00241810R82K00.
BWLT00241810R82K00 hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWLT00241810R82K00 ist für 730 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWLT00241810R82K00 hat einen DC-Widerstand von 850mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWLT00241810R82K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von BWLT00241810R82K00 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Similar-specification candidates · Engineering review required
Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.
Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 730 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 850mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 730mA |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.094" L x 0.073" W (2.40mm x 1.85mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 850 MOHM SMD |
| Serie | BWLT |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 22 Min @ 25.2 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 480 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25.2 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.041" (1.05mm) |