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BWLT00373110180J00

BWLT00373110180J00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLT00373110180J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 18 µH, Nennstrom 420 mA (IDC), Gleichstromwiderstand (DCR) 4.79Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
18 µH
Nennstrom
420 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)
4.79Ohm Max
Abmessungen
0.148" L x 0.122" W (3.75mm x 3.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLT00373110180J00.

Induktivität
18 µH

BWLT00373110180J00 hat eine Induktivität von 18 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
420 mA (IDC)

BWLT00373110180J00 ist für 420 mA (IDC) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.79Ohm Max

BWLT00373110180J00 hat einen DC-Widerstand von 4.79Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BWLT00373110180J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität18 µH
Toleranz±5%
Nennstrom420 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)4.79Ohm Max
Sättigungsstrom420mA
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.148" L x 0.122" W (3.75mm x 3.10mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 18UH 4.79 OHM SMD
SerieBWLT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz16 Typ @ 2.52 MHz
Eigenresonanzfrequenz55 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

Vorschau

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