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BWLT003731102R2K00

BWLT003731102R2K00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLT003731102R2K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 1020 mA (IDC), Gleichstromwiderstand (DCR) 1.02Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1020 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)
1.02Ohm Max
Abmessungen
0.148" L x 0.122" W (3.75mm x 3.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLT003731102R2K00.

Induktivität
2.2 µH

BWLT003731102R2K00 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1020 mA (IDC)

BWLT003731102R2K00 ist für 1020 mA (IDC) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.02Ohm Max

BWLT003731102R2K00 hat einen DC-Widerstand von 1.02Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BWLT003731102R2K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom1020 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)1.02Ohm Max
Sättigungsstrom1.02A
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.148" L x 0.122" W (3.75mm x 3.10mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.02 OHM SMD
SerieBWLT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 Typ @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz270 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

Vorschau

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