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BWLT003731108R2J00

BWLT003731108R2J00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWLT003731108R2J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 700 mA (IDC), Gleichstromwiderstand (DCR) 1.88Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
700 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)
1.88Ohm Max
Abmessungen
0.148" L x 0.122" W (3.75mm x 3.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWLT003731108R2J00.

Induktivität
8.2 µH

BWLT003731108R2J00 hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA (IDC)

BWLT003731108R2J00 ist für 700 mA (IDC) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.88Ohm Max

BWLT003731108R2J00 hat einen DC-Widerstand von 1.88Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BWLT003731108R2J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±5%
Nennstrom700 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)1.88Ohm Max
Sättigungsstrom700mA
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.148" L x 0.122" W (3.75mm x 3.10mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 1.88 OHM SMD
SerieBWLT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 Typ @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz100 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

Vorschau

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