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BWNC002925224R7J00

BWNC002925224R7J00

Pulse Electronics

Nonstandard

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWNC002925224R7J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.115" L x 0.098" W (2.92mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWNC002925224R7J00.

Induktivität
4.7 µH

BWNC002925224R7J00 hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

BWNC002925224R7J00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

BWNC002925224R7J00 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWNC002925224R7J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±5%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.115" L x 0.098" W (2.92mm x 2.50mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 800MA 800 MOHM
SerieBWNC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz90MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)