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BWNC00372926331J00

BWNC00372926331J00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWNC00372926331J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 µH, Nennstrom 80 mA (IDC), Gleichstromwiderstand (DCR) 12.3Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
330 µH
Nennstrom
80 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)
12.3Ohm Max
Abmessungen
0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWNC00372926331J00.

Induktivität
330 µH

BWNC00372926331J00 hat eine Induktivität von 330 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 mA (IDC)

BWNC00372926331J00 ist für 80 mA (IDC) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
12.3Ohm Max

BWNC00372926331J00 hat einen DC-Widerstand von 12.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWNC00372926331J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität330 µH
Toleranz±5%
Nennstrom80 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)12.3Ohm Max
Sättigungsstrom80mA
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 330UH 12.3 OHM SMD
SerieBWNC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz3.5MHz
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.102" (2.60mm)

Vorschau

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