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BWNC00372926820J00

BWNC00372926820J00

Pulse Electronics

Nonstandard

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWNC00372926820J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 145 mA (IDC), Gleichstromwiderstand (DCR) 3Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
82 µH
Nennstrom
145 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)
3Ohm Max
Abmessungen
0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWNC00372926820J00.

Induktivität
82 µH

BWNC00372926820J00 hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
145 mA (IDC)

BWNC00372926820J00 ist für 145 mA (IDC) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3Ohm Max

BWNC00372926820J00 hat einen DC-Widerstand von 3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWNC00372926820J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität82 µH
Toleranz±5%
Nennstrom145 mA (IDC)
DC-Widerstand (DCR)3Ohm Max
Sättigungsstrom145mA
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.146" L x 0.114" W (3.70mm x 2.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 82UH 3 OHM SMD
SerieBWNC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz6MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.102" (2.60mm)