Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWNL00292522R56K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 750mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWNL00292522R56K00.
BWNL00292522R56K00 hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWNL00292522R56K00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWNL00292522R56K00 hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWNL00292522R56K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 750mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.115" L x 0.098" W (2.92mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 560NH 800MA 750 MOHM |
| Serie | BWNL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 25.2MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 325MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25.2 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.087" (2.20mm) |
