Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWNL00292522R82K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWNL00292522R82K00.
BWNL00292522R82K00 hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWNL00292522R82K00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWNL00292522R82K00 hat einen DC-Widerstand von 1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWNL00292522R82K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.115" L x 0.098" W (2.92mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 800MA 1 OHM SMD |
| Serie | BWNL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 25.2MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 260MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25.2 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.087" (2.20mm) |
