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BWNL002928225N0K00

BWNL002928225N0K00

Pulse Electronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWNL002928225N0K00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5 nH, Nennstrom 2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 250mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
5 nH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
250mOhm Max
Abmessungen
0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWNL002928225N0K00.

Induktivität
5 nH

BWNL002928225N0K00 hat eine Induktivität von 5 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

BWNL002928225N0K00 ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
250mOhm Max

BWNL002928225N0K00 hat einen DC-Widerstand von 250mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

BWNL002928225N0K00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität5 nH
Toleranz±10%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)250mOhm Max
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 5NH 2A 250 MOHM SMD
SerieBWNL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz3GHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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