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BWNL00292822R10J00

BWNL00292822R10J00

Pulse Electronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWNL00292822R10J00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 1.22 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
1.22 A
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWNL00292822R10J00.

Induktivität
100 nH

BWNL00292822R10J00 hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.22 A

BWNL00292822R10J00 ist für 1.22 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

BWNL00292822R10J00 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

BWNL00292822R10J00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±5%
Nennstrom1.22 A
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Betriebstemperatur-25°C ~ 105°C
Abmessungen0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 100NH 1.22A 800 MOHM
SerieBWNL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz35 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz800MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

Vorschau

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