Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWQC004532263R3M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 130mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWQC004532263R3M00.
BWQC004532263R3M00 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
BWQC004532263R3M00 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
BWQC004532263R3M00 hat einen DC-Widerstand von 130mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
BWQC004532263R3M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 130mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.177" L x 0.142" W (4.50mm x 3.60mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 800MA 130 MOHM |
| Serie | BWQC |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 47MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.110" (2.80mm) |
