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BWVF002520123R3M00

BWVF002520123R3M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 1.5A 130 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.5 A
DC-Widerstand (DCR)
130mOhm
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWVF002520123R3M00.

Induktivität
3.3 µH

BWVF002520123R3M00 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.5 A

BWVF002520123R3M00 ist für 1.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
130mOhm

BWVF002520123R3M00 hat einen DC-Widerstand von 130mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWVF002520123R3M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.5 A
DC-Widerstand (DCR)130mOhm
Sättigungsstrom1.45A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.5A 130 MOHM
SerieBWVF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.049" (1.25mm)
Merkmale-

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