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BWVF003030102R2M00

BWVF003030102R2M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.4A 100 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.4 A
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWVF003030102R2M00.

Induktivität
2.2 µH

BWVF003030102R2M00 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.4 A

BWVF003030102R2M00 ist für 1.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm

BWVF003030102R2M00 hat einen DC-Widerstand von 100mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWVF003030102R2M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.4 A
DC-Widerstand (DCR)100mOhm
Sättigungsstrom1.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.4A 100 MOHM
SerieBWVF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.040" (1.02mm)
Merkmale-

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