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BWVH002016101R0MH1

BWVH002016101R0MH1

Pulse Electronics

0806 (2016 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWVH002016101R0MH1 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 1.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWVH002016101R0MH1.

Induktivität
1 µH

BWVH002016101R0MH1 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

BWVH002016101R0MH1 ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

BWVH002016101R0MH1 hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

BWVH002016101R0MH1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)110mOhm
Sättigungsstrom2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 1UH 1.2A 110 MOHM SMD
SerieBWVH
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.040" (1.02mm)

Vorschau

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