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BWVN003225156R8M00

BWVN003225156R8M00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWVN003225156R8M00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 240mOhm, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
240mOhm
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWVN003225156R8M00.

Induktivität
6.8 µH

BWVN003225156R8M00 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

BWVN003225156R8M00 ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
240mOhm

BWVN003225156R8M00 hat einen DC-Widerstand von 240mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BWVN003225156R8M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)240mOhm
Sättigungsstrom850mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 850MA 240 MOHM
SerieBWVN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.067" (1.70mm)

Vorschau