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BWVN00322515R47T00

BWVN00322515R47T00

Pulse Electronics

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil BWVN00322515R47T00 von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 470 nH, Nennstrom 2.55 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mOhm, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
470 nH
Nennstrom
2.55 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWVN00322515R47T00.

Induktivität
470 nH

BWVN00322515R47T00 hat eine Induktivität von 470 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.55 A

BWVN00322515R47T00 ist für 2.55 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm

BWVN00322515R47T00 hat einen DC-Widerstand von 30mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

BWVN00322515R47T00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität470 nH
Toleranz±30%
Nennstrom2.55 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm
Sättigungsstrom3.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 470NH 2.55A 30 MOHM
SerieBWVN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.067" (1.70mm)

Vorschau