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BWVS004040183R3M00

BWVS004040183R3M00

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 2.1A 70 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
2.1 A
DC-Widerstand (DCR)
70mOhm
Abmessungen
0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für BWVS004040183R3M00.

Induktivität
3.3 µH

BWVS004040183R3M00 hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.1 A

BWVS004040183R3M00 ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
70mOhm

BWVS004040183R3M00 hat einen DC-Widerstand von 70mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

BWVS004040183R3M00 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.1 A
DC-Widerstand (DCR)70mOhm
Sättigungsstrom2.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 2.1A 70 MOHM SMD
SerieBWVS
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.079" (2.00mm)
Merkmale-

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