Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil C225SM5740G6 von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.4 µH, Nennstrom 328 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für C225SM5740G6.
C225SM5740G6 hat eine Induktivität von 2.4 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
C225SM5740G6 ist für 328 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
C225SM5740G6 hat einen DC-Widerstand von 800mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
C225SM5740G6 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.4 µH |
| Nennstrom | 328 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 800mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.250" L x 0.144" W (6.35mm x 3.65mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.4UH 328MA 800 MOHM |
| Serie | C225SM |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.250" (6.35mm) |
