Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil C750FL4326C6 von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 µH, Nennstrom 3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 140mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Horizontal Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für C750FL4326C6.
C750FL4326C6 hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
C750FL4326C6 ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
C750FL4326C6 hat einen DC-Widerstand von 140mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
C750FL4326C6 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Horizontal Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 12 µH |
| Nennstrom | 3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 140mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.370" Dia x 0.750" L (9.40mm x 19.05mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Horizontal Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Horizontal Cylinder |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 12UH 3A 140 MOHM TH |
| Serie | C750FL |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 47 @ 10MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
