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CB2012T101M

CB2012T101M

Taiyo Yuden

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 130MA 7 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
130 mA
DC-Widerstand (DCR)
7Ohm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CB2012T101M.

Induktivität
100 µH

CB2012T101M hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
130 mA

CB2012T101M ist für 130 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7Ohm Max

CB2012T101M hat einen DC-Widerstand von 7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CB2012T101M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±20%
Nennstrom130 mA
DC-Widerstand (DCR)7Ohm Max
Sättigungsstrom60mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 100UH 130MA 7 OHM SMD
SerieCB
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz8MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.057" (1.45mm)
Merkmale-

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