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CBC3225T100KRV

CBC3225T100KRV

Taiyo Yuden

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CBC3225T100KRV von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 720 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 172.9mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
720 mA
DC-Widerstand (DCR)
172.9mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CBC3225T100KRV.

Induktivität
10 µH

CBC3225T100KRV hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
720 mA

CBC3225T100KRV ist für 720 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
172.9mOhm Max

CBC3225T100KRV hat einen DC-Widerstand von 172.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CBC3225T100KRV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom720 mA
DC-Widerstand (DCR)172.9mOhm Max
Sättigungsstrom900mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 10UH 720MA 172.9 MOHM
SerieCB, C Type
ProduktstatusNot For New Designs
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz23MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210 (3225 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.106" (2.70mm)

Vorschau