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CBC3225T6R8MRV

CBC3225T6R8MRV

Taiyo Yuden

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CBC3225T6R8MRV von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 760 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 156mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
760 mA
DC-Widerstand (DCR)
156mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CBC3225T6R8MRV.

Induktivität
6.8 µH

CBC3225T6R8MRV hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
760 mA

CBC3225T6R8MRV ist für 760 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
156mOhm Max

CBC3225T6R8MRV hat einen DC-Widerstand von 156mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CBC3225T6R8MRV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom760 mA
DC-Widerstand (DCR)156mOhm Max
Sättigungsstrom950mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 760MA 156 MOHM
SerieCB, C Type
ProduktstatusNot For New Designs
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz50MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.106" (2.70mm)

Vorschau