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CBC3225T821KRV

CBC3225T821KRV

Taiyo Yuden

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CBC3225T821KRV von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 µH, Nennstrom 80 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 15.6Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 µH
Nennstrom
80 mA
DC-Widerstand (DCR)
15.6Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CBC3225T821KRV.

Induktivität
820 µH

CBC3225T821KRV hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 mA

CBC3225T821KRV ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
15.6Ohm Max

CBC3225T821KRV hat einen DC-Widerstand von 15.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CBC3225T821KRV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität820 µH
Toleranz±10%
Nennstrom80 mA
DC-Widerstand (DCR)15.6Ohm Max
Sättigungsstrom110mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 820UH 80MA 15.6 OHM
SerieCB, C Type
ProduktstatusNot For New Designs
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz1.8MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.106" (2.70mm)

Vorschau