Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CF4H1008-221G von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 580 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 750mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CF4H1008-221G.
CF4H1008-221G hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CF4H1008-221G ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CF4H1008-221G hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CF4H1008-221G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 580 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 750mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.120" L x 0.110" W (3.05mm x 2.79mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 580MA 750 MOHM |
| Serie | CF4H1008 |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 35 @ 50MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 205MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.090" (2.29mm) |
