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CL0402-J222SAL4T

CL0402-J222SAL4T

Knowles Voltronics

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

0402 CER CORE IND 2.2NH HIGH Q

Technische Daten

Induktivität
2.2 nH
Nennstrom
960 mA
DC-Widerstand (DCR)
70mOhm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.022 W (1.00mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL0402-J222SAL4T.

Induktivität
2.2 nH

CL0402-J222SAL4T hat eine Induktivität von 2.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
960 mA

CL0402-J222SAL4T ist für 960 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
70mOhm Max

CL0402-J222SAL4T hat einen DC-Widerstand von 70mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

CL0402-J222SAL4T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 10.7.2026
Induktivität2.2 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom960 mA
DC-Widerstand (DCR)70mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039 L x 0.022 W (1.00mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung0402 CER CORE IND 2.2NH HIGH Q
SerieA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz18 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz10.8GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.024 (0.60mm)
Merkmale-

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