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CL0805-J103JAL4T

CL0805-J103JAL4T

Knowles Voltronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

0805 CER CORE IND 10NH HIGH Q

Technische Daten

Induktivität
10 nH
Nennstrom
600 mA
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL0805-J103JAL4T.

Induktivität
10 nH

CL0805-J103JAL4T hat eine Induktivität von 10 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA

CL0805-J103JAL4T ist für 600 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max

CL0805-J103JAL4T hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CL0805-J103JAL4T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 10.7.2026
Induktivität10 nH
Toleranz±5%
Nennstrom600 mA
DC-Widerstand (DCR)80mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung0805 CER CORE IND 10NH HIGH Q
SerieA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz4.8GHz
Zulassungen / Bewertungen-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.059 (1.50mm)
Merkmale-

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