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CL0805-J335JAL4T

CL0805-J335JAL4T

Knowles Voltronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

0805 CER CORE IND 3.3UH HIGH Q

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
100 mA
DC-Widerstand (DCR)
9Ohm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL0805-J335JAL4T.

Induktivität
3.3 µH

CL0805-J335JAL4T hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 mA

CL0805-J335JAL4T ist für 100 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9Ohm Max

CL0805-J335JAL4T hat einen DC-Widerstand von 9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CL0805-J335JAL4T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 10.7.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±5%
Nennstrom100 mA
DC-Widerstand (DCR)9Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung0805 CER CORE IND 3.3UH HIGH Q
SerieA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz23 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz130MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.059 (1.50mm)
Merkmale-

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