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CL1008-2103JUL4T

CL1008-2103JUL4T

Knowles Voltronics

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CL1008-2103JUL4T von Knowles Voltronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 nH, Nennstrom 1902 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.025 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 nH
Nennstrom
1902 mA
DC-Widerstand (DCR)
0.025 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-2103JUL4T.

Induktivität
10 nH

CL1008-2103JUL4T hat eine Induktivität von 10 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1902 mA

CL1008-2103JUL4T ist für 1902 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.025 Ohm Max

CL1008-2103JUL4T hat einen DC-Widerstand von 0.025 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität10 nH
Nennstrom1902 mA
DC-Widerstand (DCR)0.025 Ohm Max
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung1008 IND 10NH HIGH Q
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz50 Min @ 500 MHz
Eigenresonanzfrequenz3300 MHz Min

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