Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CL1008-J103JAL4T von Knowles Voltronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 nH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-J103JAL4T.
CL1008-J103JAL4T hat eine Induktivität von 10 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CL1008-J103JAL4T ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CL1008-J103JAL4T hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CL1008-J103JAL4T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.102 L x 0.085 W (2.60mm x 2.15mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Knowles Voltronics |
| Beschreibung | 1008 CER CORE IND 10NH HIGH Q |
| Serie | A |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 1GHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.3GHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079 (2.00mm) |
