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CL1008-J184JAL4T

CL1008-J184JAL4T

Knowles Voltronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

1008 CER CORE IND 180NH HIGH Q

Technische Daten

Induktivität
180 nH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
330mOhm Max
Abmessungen
0.102 L x 0.085 W (2.60mm x 2.15mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CL1008-J184JAL4T.

Induktivität
180 nH

CL1008-J184JAL4T hat eine Induktivität von 180 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

CL1008-J184JAL4T ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
330mOhm Max

CL1008-J184JAL4T hat einen DC-Widerstand von 330mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CL1008-J184JAL4T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 10.7.2026
Induktivität180 nH
Toleranz±5%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)330mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.102 L x 0.085 W (2.60mm x 2.15mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantKnowles Voltronics
Beschreibung1008 CER CORE IND 180NH HIGH Q
SerieA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz800MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.079 (2.00mm)
Merkmale-

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