Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CSUS1210-R55N von CODACA. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.55 µH, Nennstrom 17.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 3mOhm Max, Gehäusegröße 4-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CSUS1210-R55N.
CSUS1210-R55N hat eine Induktivität von 0.55 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CSUS1210-R55N ist für 17.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CSUS1210-R55N hat einen DC-Widerstand von 3mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CSUS1210-R55N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 4-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.55 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 17.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 3mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 39A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 165°C |
| Abmessungen | 0.480 L x 0.480 W (12.20mm x 12.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 4-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 4-SMD |
| Lieferant | CODACA |
| Beschreibung | FIXED IND 0.55UH 17.2A 3 MOHM |
| Serie | CSUS1210 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Composite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.406 (10.30mm) |
| Merkmale | Small Volume, Low DCR, Magnetic Shielded Structure |
