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CTX10-2-52-R

CTX10-2-52-R

Eaton - Electronics Division

Radial, Vertical (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 4.7A 18.3 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
4.7 A
DC-Widerstand (DCR)
18.3mOhm Max
Abmessungen
0.500" Dia x 0.307" W (12.70mm x 7.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX10-2-52-R.

Induktivität
10 µH

CTX10-2-52-R hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.7 A

CTX10-2-52-R ist für 4.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
18.3mOhm Max

CTX10-2-52-R hat einen DC-Widerstand von 18.3mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical (Open)

CTX10-2-52-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.7 A
DC-Widerstand (DCR)18.3mOhm Max
Sättigungsstrom4.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 75°C
Abmessungen0.500" Dia x 0.307" W (12.70mm x 7.80mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical (Open)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 10UH 4.7A 18.3 MOHM TH
SerieCTX
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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