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CTX10-7-52-R

CTX10-7-52-R

Eaton - Electronics Division

Radial, Vertical (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 11.4A 8 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
11.4 A
DC-Widerstand (DCR)
8mOhm Max
Abmessungen
1.012" Dia x 0.709" W (25.70mm x 18.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX10-7-52-R.

Induktivität
10 µH

CTX10-7-52-R hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
11.4 A

CTX10-7-52-R ist für 11.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
8mOhm Max

CTX10-7-52-R hat einen DC-Widerstand von 8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical (Open)

CTX10-7-52-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom11.4 A
DC-Widerstand (DCR)8mOhm Max
Sättigungsstrom13.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 75°C
Abmessungen1.012" Dia x 0.709" W (25.70mm x 18.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical (Open)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 10UH 11.4A 8 MOHM TH
SerieCTX
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau