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CTX20-2-52-R

Eaton - Electronics Division

Radial, Vertical (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 20UH 3.2A 39.2 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
20 µH
Nennstrom
3.2 A
DC-Widerstand (DCR)
39.2mOhm Max
Abmessungen
0.492" Dia x 0.295" W (12.50mm x 7.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX20-2-52-R.

Induktivität
20 µH

CTX20-2-52-R hat eine Induktivität von 20 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.2 A

CTX20-2-52-R ist für 3.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
39.2mOhm Max

CTX20-2-52-R hat einen DC-Widerstand von 39.2mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical (Open)

CTX20-2-52-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität20 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.2 A
DC-Widerstand (DCR)39.2mOhm Max
Sättigungsstrom3.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 75°C
Abmessungen0.492" Dia x 0.295" W (12.50mm x 7.50mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical (Open)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 20UH 3.2A 39.2 MOHM TH
SerieCTX
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau