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CTX32CT-1R5-R

Eaton - Electronics Division

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.5UH 700MA 180 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
180mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX32CT-1R5-R.

Induktivität
1.5 µH

CTX32CT-1R5-R hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

CTX32CT-1R5-R ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
180mOhm Max

CTX32CT-1R5-R hat einen DC-Widerstand von 180mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTX32CT-1R5-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±20%
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)180mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 700MA 180 MOHM
Serie1210
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz80MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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