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CTX32CT-220-R

Eaton - Electronics Division

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTX32CT-220-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 µH, Nennstrom 210 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.15Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
210 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.15Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX32CT-220-R.

Induktivität
22 µH

CTX32CT-220-R hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
210 mA

CTX32CT-220-R ist für 210 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.15Ohm Max

CTX32CT-220-R hat einen DC-Widerstand von 1.15Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTX32CT-220-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±10%
Nennstrom210 mA
DC-Widerstand (DCR)1.15Ohm Max
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 22UH 210MA 1.15 OHM
Serie1210
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz21MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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