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CTX32T-120-R

Eaton - Electronics Division

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 12UH 140MA 2.5 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
12 µH
Nennstrom
140 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.5Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX32T-120-R.

Induktivität
12 µH

CTX32T-120-R hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
140 mA

CTX32T-120-R ist für 140 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.5Ohm Max

CTX32T-120-R hat einen DC-Widerstand von 2.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTX32T-120-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität12 µH
Toleranz±10%
Nennstrom140 mA
DC-Widerstand (DCR)2.5Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 12UH 140MA 2.5 OHM SMD
Serie1210
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz33MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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