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CTX750-1-52M-R

Eaton - Electronics Division

Radial, Vertical, 4 Leads (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 750UH 1.8A 434 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
750 µH
Nennstrom
1.8 A
DC-Widerstand (DCR)
434mOhm Max
Abmessungen
1.394" L x 0.854" W (35.40mm x 21.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX750-1-52M-R.

Induktivität
750 µH

CTX750-1-52M-R hat eine Induktivität von 750 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.8 A

CTX750-1-52M-R ist für 1.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
434mOhm Max

CTX750-1-52M-R hat einen DC-Widerstand von 434mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical, 4 Leads (Open)

CTX750-1-52M-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical, 4 Leads (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität750 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.8 A
DC-Widerstand (DCR)434mOhm Max
Sättigungsstrom2.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 75°C
Abmessungen1.394" L x 0.854" W (35.40mm x 21.70mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical, 4 Leads (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical, 4 Leads (Open)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 750UH 1.8A 434 MOHM TH
SerieCTX
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)1.244" (31.60mm)
Merkmale-

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