Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTX750-2-52LP-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 750 µH, Nennstrom 3.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 208mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Horizontal (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX750-2-52LP-R.
CTX750-2-52LP-R hat eine Induktivität von 750 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTX750-2-52LP-R ist für 3.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTX750-2-52LP-R hat einen DC-Widerstand von 208mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTX750-2-52LP-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Horizontal (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 750 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3.4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 208mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.4A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 75°C |
| Abmessungen | 1.705" Dia (43.30mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Horizontal (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Horizontal (Open) |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 750UH 3.4A 208 MOHM TH |
| Serie | CTX |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.717" (18.20mm) |
