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CV201210-6R8K

CV201210-6R8K

Bourns Inc.

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 15MA 1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
15 mA
DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CV201210-6R8K.

Induktivität
6.8 µH

CV201210-6R8K hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
15 mA

CV201210-6R8K ist für 15 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ohm Max

CV201210-6R8K hat einen DC-Widerstand von 1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CV201210-6R8K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±10%
Nennstrom15 mA
DC-Widerstand (DCR)1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 15MA 1 OHM SMD
SerieCV201210
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz45 @ 4MHz
Eigenresonanzfrequenz29MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz4 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.057" (1.45mm)
Merkmale-

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