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CW201212-R15J

CW201212-R15J

Bourns Inc.

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 150NH 400MA 670 MOHM

Technische Daten

Induktivität
150 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
670mOhm
Abmessungen
0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CW201212-R15J.

Induktivität
150 nH

CW201212-R15J hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

CW201212-R15J ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
670mOhm

CW201212-R15J hat einen DC-Widerstand von 670mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CW201212-R15J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität150 nH
Toleranz±5%
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)670mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 150NH 400MA 670 MOHM
SerieCW201212
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz950MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.059" (1.50mm)
Merkmale-

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