Meine Favoriten
CW2012A-8N2K

CW2012A-8N2K

Bourns Inc.

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CW2012A-8N2K von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 nH, Nennstrom 800 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 nH
Nennstrom
800 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max
Abmessungen
0.094" L x 0.063" W (2.40mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CW2012A-8N2K.

Induktivität
8.2 nH

CW2012A-8N2K hat eine Induktivität von 8.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA Max

CW2012A-8N2K ist für 800 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max

CW2012A-8N2K hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CW2012A-8N2K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CW2012A-8N2K weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität8.2 nH
Toleranz±10%
Nennstrom800 mA Max
DC-Widerstand (DCR)60mOhm Max
Sättigungsstrom800mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.094" L x 0.063" W (2.40mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 8.2NH 60 MOHM SMD
SerieCW2012A
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz70 @ 1GHz
Eigenresonanzfrequenz4.7GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)

Vorschau

PDF öffnen