CWF2012A-R56M

CWF2012A-R56M

Bourns Inc.

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CWF2012A-R56M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 730 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 210mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
560 nH
Nennstrom
730 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
210mOhm Max
Abmessungen
0.094" L x 0.063" W (2.40mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CWF2012A-R56M.

Induktivität
560 nH

CWF2012A-R56M hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
730 mA Max

CWF2012A-R56M ist für 730 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
210mOhm Max

CWF2012A-R56M hat einen DC-Widerstand von 210mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CWF2012A-R56M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CWF2012A-R56M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität560 nH
Toleranz±20%
Nennstrom730 mA Max
DC-Widerstand (DCR)210mOhm Max
Sättigungsstrom730mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.094" L x 0.063" W (2.40mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 560NH 210 MOHM SMD
SerieCWF2012A
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz665MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)

Vorschau

PDF öffnen