Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DB3-332LF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 µH, Nennstrom 13.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 10mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DB3-332LF.
DB3-332LF hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
DB3-332LF ist für 13.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
DB3-332LF hat einen DC-Widerstand von 10mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
DB3-332LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 33 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 13.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 10mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 20A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 1.100" Dia (27.94mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 33UH 13.5A 10 MOHM TH |
| Serie | DB3 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.887" (22.53mm) |
