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DEM8045Z-180M=P3

muRata

SMD,8.3x8.3mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DEM8045Z-180M=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 18uH, Nennstrom 2.9A, Gleichstromwiderstand (DCR) 64 mOhm ±20%, Gehäusegröße SMD,8.3x8.3mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
18uH
Nennstrom
2.9A
DC-Widerstand (DCR)
64 mOhm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DEM8045Z-180M=P3.

Induktivität
18uH

DEM8045Z-180M=P3 hat eine Induktivität von 18uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.9A

DEM8045Z-180M=P3 ist für 2.9A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
64 mOhm ±20%

DEM8045Z-180M=P3 hat einen DC-Widerstand von 64 mOhm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,8.3x8.3mm

DEM8045Z-180M=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,8.3x8.3mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität18uH
Toleranz±20%
Nennstrom2.9A
DC-Widerstand (DCR)64 mOhm ±20%
Sättigungsstrom3.2A
Gehäuse / GrößeSMD,8.3x8.3mm
Gehäuse / AusführungSMD,8.3x8.3mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 18uH, ±20%, Rated current: 2.9A, Saturation current: 3.2A, Case: SMD,8.3x8.3mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

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