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DEM8045Z-1R5N=P3

muRata

3131
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil DEM8045Z-1R5N=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5uH, Nennstrom 9.4A, Gleichstromwiderstand (DCR) 6.5 mOhm ±20%, Gehäusegröße 3131. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5uH
Nennstrom
9.4A
DC-Widerstand (DCR)
6.5 mOhm ±20%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für DEM8045Z-1R5N=P3.

Induktivität
1.5uH

DEM8045Z-1R5N=P3 hat eine Induktivität von 1.5uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9.4A

DEM8045Z-1R5N=P3 ist für 9.4A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
6.5 mOhm ±20%

DEM8045Z-1R5N=P3 hat einen DC-Widerstand von 6.5 mOhm ±20%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3131

DEM8045Z-1R5N=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.5uH
Toleranz±30%
Nennstrom9.4A
DC-Widerstand (DCR)6.5 mOhm ±20%
Sättigungsstrom11.2A
Gehäuse / Größe3131
Gehäuse / Ausführung3131
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1.5uH, ±30%, Rated current: 9.4A, Saturation current: 11.2A, Case: 3131
Typ / AufbauChip Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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